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溢泰半导体取得锑化镓抛光晶片表面缺陷控制工艺方法专利:抛光

金融界2025年8月22日消息,国家知识产权局信息显示,大庆溢泰半导体材料有限公司取得一项名为“一种锑化镓抛光晶片表面缺陷控制工艺方法”的专利,授权公告号CN119495559B,申请日期为2024年11月抛光

天眼查资料显示,大庆溢泰半导体材料有限公司,成立于2018年,位于大庆市,是一家以从事化学原料和化学制品制造业为主的企业抛光 。企业注册资本8050万人民币。通过天眼查大数据分析,大庆溢泰半导体材料有限公司共对外投资了2家企业,参与招投标项目29次,专利信息59条,此外企业还拥有行政许可41个。

来源:金融界

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